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美光将削减DRAM和NAND产量，以应对市场价格的下滑
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美光将削减DRAM和NAND产量，以应对市场价格的下滑
吕嘉俭发布于 2022-11-17 10:49
本文约 560 字，需 1 分钟阅读
由于对存储器的需求迅速下降，加上价格下滑，美光在2022财年第四财季（截至2022年9月1日）里，3D NAND和DRAM的产量已下降了约20%，减产涵盖了美光所有用于大批量生产的技术节点，这意味着美光削减了几乎所有类型产品的产量。
据TomsHardware报道，美光预计3D NAND位产量在明年只能以“个位数百分比”增长，同时明年将减少DRAM位产量。目前美光正处于2023财年第一财季，对本季度的影响不大，由于3D NAND和DRAM的生产和测试/封装周期相当长，市场将在几周内感受到美光减产的影响。与此同时，现货价格可能会对美光的动作做出更快的反应。
美光在今年夏天开始生产232层的3D TLC NAND闪存，并在早些时候开始以1β（1-beta）工艺节点生产DRAM芯片，这些新的技术节点本身是能够降低成本并增加位产量。不过随着市场状况的恶化，美光已减缓了生产，以限制位产量。
据美光披露，其2023财年的资本指出总额约为80亿美元，相比2022财年下降了30%，削减的部分主要涉及新晶圆厂的设备采购，这会减缓最新制造技术引入。美光称，正在“努力尝试进一步削减资本支出”，不过没有详细说明情况。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，会继续监测行业状况，并根据需要做出进一步调整，尽管市场近期面临周期性挑战，但仍然对市场的长期需求充满信心，从长远来看，预计3D NAND和DRAM收入增长将超过半导体行业的其他部分。
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