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铠侠发布第二代XL-FLASH存储级内存解决方案：更高性能，更低延迟
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铠侠发布第二代XL-FLASH存储级内存解决方案：更高性能，更低延迟
吕嘉俭发布于 2022-8-2 16:20
本文约 520 字，需 1 分钟阅读
铠侠（Kioxia）宣布，推出第二代XL-FLASH存储级内存解决方案。这是一种基于其BiCS FLASH 3D闪存技术的存储级内存（SCM）解决方案，可有效降低成本，并提供高性能及低延迟的产品。
存储级内存（SCM）是业界对介于闪存与内存之间的新存储介质的统一命名，大家熟悉的傲腾3D-XPoint就属于SCM。由于很多SCM兼有内存低延迟高读写速率和非易失的特性，几大主要的闪存制造商都有开发自己的SCM技术，除了美光和英特尔的3D-XPoint，还有三星的Z-NAND，后者更多属于现有NAND的改良版本。
铠侠称，第二代XL-FLASH存储级内存解决方案旨在为数据中心、企业服务器和存储系统带来更高的性能和更低的成本。放眼未来，该技术还可能应用于CXL（Compute Express Link）产品上。目前三星和SK海力士已推出了CXL存储器，均基于DDR5 DRAM。
第二代XL-FLASH除了使用现有的SLC闪存，还增加了每单元存储两位数据的新多层单元功能（MLC），从而降低了成本。此前第一代产品使用的是128Gb的闪存芯片，第二代提高到了256Gb，同时数据吞吐量也有所增加。在同一个封装中，还可以堆叠两层、四层或八层芯片。
铠侠表示，将在今年8月初在全球闪存峰会（Flash Memory Summit，FMS）的主题演讲中展示第二代XL-FLASH存储级内存解决方案。此外，相关样品计划于今年11月出货，预计2023年投入量产。
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