台积电：计划2024年引入ASML最新一代EUV光刻机
source link: https://finance.sina.com.cn/tech/2022-06-17/doc-imizirau9013364.shtml
Go to the source link to view the article. You can view the picture content, updated content and better typesetting reading experience. If the link is broken, please click the button below to view the snapshot at that time.
台积电：计划2024年引入ASML最新一代EUV光刻机
台积电、英特尔、三星等集成电路代工厂正在争夺最新一代光刻机。
6月17日，台积电高管在美国硅谷举行的技术研讨会上表示，该公司将在2024年引入荷兰厂商阿斯麦（ASML）的最新一代EUV（极紫外光）光刻机。
台积电研发高级副总裁米玉杰在上述研讨会上表示：“展望未来，台积电将在2024年引入高数值孔径的极紫外（High-NA EUV）光刻机，为的是开发客户所需相关基础设施和模式解决方案，进一步推动创新。”
米玉杰并未说明这项设备何时将用于量产。不过，台积电业务开发资深副总经理张晓强随后说明，台积电2024年还不准备运用新的高数值孔径EUV工具来生产，主要使用目的是跟伙伴进行研究。
随着芯片工艺越来越复杂先进，无论台积电、三星还是英特尔都需要采用EUV光刻机。
今年早些时候，ASML对外表示，正在与其合作伙伴一起开发下一代High-NA光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列。据了解，新High-NA光刻机具有0.55NA（High-NA ）的透镜，分辨率达8纳米，将非常复杂、非常庞大且价格昂贵，更有利于3纳米及以上制程的工艺制造。
路透社也曾报道，ASML公司已经获得了 5 个 High-NA 产品的试点订单，预计将于2024年交付，并有着“超过 5 个”订单需要从2025年开始交付的量产型号。
之前对EUV技术不看好的英特尔公司现在积极向EUV技术靠拢，并希望能够率先采用最新一代High-NA光刻机。
英特尔高层之前对外表示，该公司会成为首发用户，抢下了第一台0.55NA的EUV光刻机，而且首批6台中英特尔也占了大头，台积电、三星会慢一波。英特尔还表示，2025年将开始以高数值孔径EUV进行生产。
日前正在欧洲访问的三星集团副会长、三星集团实际控制人李在镕拜访ASML。6月17日，韩媒体报道称，李在镕在荷兰访问ASML之后，已经确保取得额外的极紫外光（EUV）微影设备。
参加台积电上述论坛的产业调查机构TechInsights半导体经济学家赫奇森（G. Dan Hutcheson）说：“台积电2024年拥有这种设备的重要性，在于他们更快速接触到最先进技术。”
赫奇森指出，EUV技术已成为走在尖端的关键，高数值孔径EUV则是推进半导体技术的下一个重大创新。
台积电北美技术论坛连续两年以线上方式举行，今年于美国加州圣塔克拉拉市恢复举办实体论坛。
台积电在论坛上首度推出采用纳米片电晶体的新一代先进2纳米（N2）制程技术，以及支援N3与N3E制程的独特TSMC FINFLEX技术，将成为全球第1家率先提供2纳米制程代工服务的晶圆厂。
</div
Recommend
About Joyk
Aggregate valuable and interesting links.
Joyk means Joy of geeK