• 2024-05-03 17:00:37 　来源：前瞻产业研究院　E2859G1

• 2024-2029年中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告

行业主要上市公司：华润微(688396);三安光电(600703);士兰微(600460);斯达半导(603290);天岳先进(688234)等

本文核心数据：市场规模，渗透率，市场预测

1、全球第三代半导体材料行业发展环境

第三代半导体材料引发全球瞩目，并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点，美、日、欧等国都在积极进行战略部署。主要国家政府的部署情况如下：

2、全球第三代半导体材料行业技术进展

——碳化硅：8英寸SiC晶圆开始商业化量产

2022年4月Wolfspeed莫霍克谷工厂8英寸SiC衬底正式投产，9月又宣布再次投资13亿美元，在北卡罗来纳州建设8英寸SiC衬底工厂;Onsemi 8英寸SiC晶圆衬底样品面世,预计在2024年实现样品认证，2025年实现规模出货;Soitec发布首款8英寸SiC衬底产品;Sumitomo Metal子公司Sicoxs开建8英寸SiC复合衬底产线。此外，SiC外延供应商Showa Denko宣布8英寸SiC外延片样品开始供货。晶圆代工领域除汉磊、X-Fab外，韩国DB HiTek和联电也在加快8英寸晶圆制造布局。

——氮化镓：制备出6英寸GaN单晶

Toyoda Gosei与大阪大学合作，采用钠助溶剂液相法，在蓝宝石衬底上生长出高质量籽晶，然后再经过HVPE法生长出6英寸GaN单晶。GaN衬底激光剥离技术取得进展，包括诺贝尔物理学奖获得者天野浩在内的日本研究团队发表GaN衬底激光减薄新技术，通过背面激光照射法来剥离器件层，最大幅度减少GaN衬底的消耗;该技术可在器件制造之后开展，将GaN衬底生产效率提升3倍，同时省去衬底抛光工艺，有助于帮助降低GaN晶圆制造成本，也有望应用于 SiC单晶切割。韩国IVworks与美国Applied Materials合作，利用MBE方法制备适用1200V的6英寸和8英寸GaN外延片，并通过混合 MBE设备监测GaN薄膜层的厚度，以此提高产量。

3、全球第三代半导体材料行业发展现状

——市场规模

目前，第三代半导体材料研发较为成熟的材料有SiC和GaN，ZnO、金刚石、氮化铝等材料的研究则尚属于起步阶段。从SiC和GaN的整体市场规模来看，2018-2022年，全球SiC和GaN材料的市场规模逐年增长。2022年，综合Yole、IHS的数据显示，全球SiC和GaN的整体市场规模达36.1亿美元，较2021年增长了49.42%。经初步估计，2023年全球SiC和GaN的整体市场规模或达到43亿美元。

——渗透率

整体来看，目前第三代半导体的发展已进入快速成长期，根据Yole的数据，第三代半导体功率器件(含SiC和GaN)2022年占整体半导体功率器件市场的比例为约5%-6.5%%。

4、市场预测：到2029年市场规模可达218亿美元

随着5G、新能源汽车、国防军事应用的增加，全球第三代半导体材料市场在未来五年将保持较高增速增长。综合Yole等公司数据，CASA预计到2026年SiC电力电子市场规模将达48亿美元，GaN电力电子器件市场规模将超过20亿美元，合计规模将超92亿美元，2029年市场可达178亿美元以上;综合Yole及Trendforce数据，GaN射频器件及模组市场未来几年将保持18%的增速，到2026年市场规模约为24亿美元，按此增速到2029年规模可达39亿美元，第三代半导体材料总体规模可达218亿美元。

更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

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