英特尔将在VLSI研讨会介绍PowerVia技术成果，称实现了芯片制造的突破
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英特尔将在VLSI研讨会介绍PowerVia技术成果，称实现了芯片制造的突破
吕嘉俭发布于 2023-6-6 17:31
在2021年7月的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）展示了一系列底层技术创新，表示将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。
其中RibbonFET是对Gate All Around晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
英特尔已宣布，在下周的VLSI研讨会发表新论文，介绍PowerVia技术的成果。英特尔表示，测试结果显示，PowerVia技术具有领先行业的性能表现。
英特尔表示，借助PowerVia这项新的供电技术，实现了芯片制造的新突破，将颠覆芯片制造业。英特尔计划在2024年上半年推出的Intel 20A工艺，将率先引入PowerVia技术，以解决缩放区域中日益严重的互连瓶颈问题，将供电移到晶圆背面使得电力传输的利用率超过了90%，并在其他方面也会获得收益。
据英特尔介绍，开发团队打造了名为“Blue Sky Creek”的芯片进行测试，其基于Meteor Lake所使用的E-Core，结果表明PowerVia解决了过往制造方法中存在的两个问题，新技术可以带来更好的电力传输和信号布线，同时频率也提高了5%以上。
明年消费者可以通过Arrow Lake感受到PowerVia的诸多优势，这是一款采用Intel 20A工艺制造的处理器，比以往任何时候都更有效率。英特尔称，PowerVia技术的出现使其在背面供电方面领先竞争对手大约两年。
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