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台积电2nm制程节点将于2025年按时投产，并准备名为N2P的增强工艺
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台积电2nm制程节点将于2025年按时投产，并准备名为N2P的增强工艺
吕嘉俭发布于 2023-4-10 14:49
本文约 520 字，需 1 分钟阅读
去年台积电（TSMC）总裁魏哲家证实，N2制程节点将如预期那样使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，制造的过程仍依赖于现有的极紫外（EUV）光刻技术，预计2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批2nm芯片。
据相关媒体报道，摩根士丹利分享了来自供应链的消息，最新报告显示台积电将在2025年开始大规模生产2nm芯片，这与其管理层过往提供的时间表一致。此外，台积电还在准备名为N2P的新工艺，与3nm制程节点的命名类似，这是N2的增强版，反映了生产工艺方面的改进。
台积电将2nm制程节点的生产放在了位于中国台湾新竹宝山的工厂，这里采用了台积电最先进的工艺，另外还在台中地区建设第二座工厂，称为Fab 20，将分阶段建造。据了解，N2P工艺将使用背面供电（BSPD）技术来提高性能，业界称之为通硅孔（TSVs）的延伸，可以将不同芯片模块堆叠在一起，相互粘合，新工艺将进一步提高芯片的能效。
虽然台积电的3nm制程节点很快将大规模生产，不过摩根士丹利认为台积电今年第二季度的收入仍将下降5%至9%，比起之前4%的跌幅扩大了，原因来自于智能手机芯片订单的减少，同时将台积电2023年全年的预期收入从“小幅度增长”下调至“持平”。
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