SK海力士公布第8代3D NAND闪存：堆叠层数超过300层，性能提高18%

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SK海力士公布第8代3D NAND闪存：堆叠层数超过300层，性能提高18%

吕嘉俭发布于 2023-3-19 13:45

本文约 560 字、4 张图表，需 1 分钟阅读

近日，SK海力士在ISSCC 2023会议上公布了在3D NAND闪存开发方面的最新突破。SK海力士表示，一支由35名工程师组成的团队为这次演示的材料做出了贡献，带来了一款堆叠层数超过300层的新型3D NAND闪存原型。

据TechPowerup介绍，这是SK海力士第8代3D NAND闪存，容量为1Tb（128GB），具有三级单元（TLC）和超过20Gb/mm^2的位密度（bit density）。该芯片的页容量（page size）为16KB，拥有四个planes，接口传输速率为2400MT / s，最高吞吐量为194MB/s（相比第7代238层3D NAND闪存提高了18%）。密度的提升将降低制造过程中每tb的成本，终端消费者最终能从性能和容量的提升中受益。

据SK海力士介绍，第8代3D NAND闪存主要运用了五个方面的技术，包括引入三重验编程（TPGM）功能，可缩小电池阈值电压分布，将tPROG减少10%，从而提高性能；自适应未选字符串预充电（AUSP），另一种将tPROG降低约2%的方法；编程虚拟串（PDS）技术，降低通道电容负载来缩短tPROG和tR的世界线建立时间；平面级读取重试（PLRR）功能，允许在不终止其他平面的情况下改变平面的读取级别，从而立即发出后续读取命令，最终提高了服务质量（QoS）和读取性能。