长江存储已量产232层3D TLC NAND闪存，领先于三星、美光、SK海力士等厂商
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长江存储已量产232层3D TLC NAND闪存，领先于三星、美光、SK海力士等厂商
吕嘉俭发布于 2022-12-1 10:00
长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。
据Tech Insights报道，长江存储的X3-9070已经量产了，除了用于致态TiPlus7100系列SSD，还被用在海康威视的CC700 2TB SSD上，这是市场上首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案，领先于三星、美光、SK海力士等厂商。
据长江存储介绍，X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0规范，相比上一代产品提高了50%的性能；得益于晶栈3.0架构，X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb（128GB）的存储容量；采用6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。
作为存储大厂，今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+层的3D NAND闪存解决方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，称准备在2022年末开始生产，其采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。到了8月，SK海力士宣布已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。三星在上个月宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层。
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