crosslight仿真之(四)物理模型-4-迁移率

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1.目前内置电场迁移率模型

1.1常数迁移率

直接设置在mac文件中写：

模型的选择，在mac中设置，如：

1.2分段迁移率模型

临界场强为F0，小于F0时迁移率为

μ​0​​​

大于F时迁移率为

μ​0​×F​0/F​​​

1.3 Canali orbeta 模型

1.4n.gaas 氮化镓器件的修正迁移率

一般常见于3，5族半导体材料，代表为gaas的电子，具有负的微分电阻。 这个开启可以mac中搜索n.gaas语句的用法，这个开启后，设置迁移率为常数就不会生效了 el_vel_model=n.gaas

1.5 Poole-Frenkel模型

针对有机半导体

1.6 modified_transf_elec

在自定义mac中修改，只用于电子,如:

1.7自定义方式

指令：user_defined_mobility

2.各向异性迁移率模型

在sol 文件中设置：mobility_xy

3.掺杂迁移率模型

low_field_mobility_model 这个指令是针对掺杂，载流子散射，表面效果三种作用的综合模型

3.1 doping依赖

Masetti

命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_mase_，hole_mase_

Arora模型

命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_ar_，hole_ar_

University of Bologna

命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_uni_bolo_，hole_uni_bolo_

3.2 载流子散射

Conwell-Weisskopf

命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_con_wei_，hole_con_wei_

Brooks-Herring

命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_bro_her_，hole_bro_her_

3.3 Philips unified model

命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_phili_，hole_phili_

3.4 表面迁移率退化

不要和mobility_xy一起使用

University of Bologna Inversion Layer

命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_uni_boloinve_，hole_uni_boloinve_

Enhanced Lombardi

命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_lombard_，hole_lombard_

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原文出处：​ ​http://blog.hobbys.cn/article/2022/9/23/23.html​​