三星确认已启动DDR6内存开发工作：采用MSAP技术，速率可达17000Mbps
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三星确认已启动DDR6内存开发工作：采用MSAP技术，速率可达17000Mbps
吕嘉俭发布于 2022-7-18 12:28
目前PC正从DDR4向DDR5过渡，绝大部分用户都还没用上新一代内存，AMD用户甚至还需要等上几个月，才能看到支持DDR5内存的AM5平台。虽然DDR5内存的普及还有待时日，不过下一代的DDR6已经开始上路了。
据The Elec报道，在近期的一次研讨会上，三星测试和系统封装（TSP）副总裁Younggwan Ko透露，随着未来内存性能的扩展，封装技术需要不断发展，期间也证实了DDR6内存已处于早期开发阶段，将采用MSAP封装技术，以提高PCB的高频性能。
事实上，三星的竞争对手SK海力士已在DDR5内存上开始应用MSAP封装技术，只不过三星打算从DDR6内存开始这么做。MSAP封装技术允许DRAM制造商创建电路更为精细的内存模块，从而有更好的连接性能，以达到更高的数据传输速度。此外，MSAP封装技术不但能加强电路的连接，还能让DDR6内存的PCB层数增加。
Younggwan Ko表示，随着存储芯片容量和数据速度的提升，封装设计也必须适应新一代产品的需求，层数的增加和工艺变得复杂，使得内存封装市场的规模有望实现成倍的增长。三星预计DDR6内存会在2024年完成设计，正式商用要等到2025年之后，传闻数据传输速度按照JEDEC规范将达到12800 Mbps，超频后可达到17000 Mbps或以上。
在扇出型封装方面，三星同时推出了扇出-晶圆级封装（FO-WLP）和扇出-面板级封装（FO-PLP），后者在12英寸晶圆中更具优势，三星正考虑将其用于更大的芯片。据了解，三星在今年5月份已经将扇出-面板级封装用户谷歌Pixel系列手机所使用的SoC上，这意味着该技术已逐渐成熟。
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