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三星官宣：全球首个3nm GAA工艺量产
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三星官宣：全球首个3nm GAA工艺量产
吕嘉俭发布于 2022-6-30 15:42
本文约 490 字、3 张图表，需 1 分钟阅读
三星宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术，三星也成为了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。
三星3nm GAA工艺初期主要针对高性能计算（HPC）的系统芯片，随后会扩展到移动SoC。三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。
这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星电子代工业务部总经理崔时荣表示，希望通过率先采用新工艺继续保持半导体行业前沿地位，同时会积极创新，建立有助于加速技术成熟的流程。
自2021年第三季度以来，三星电子一直通过与ANSYS、楷登电子、西门子和新思科技在内的三星先进晶圆代工生态系统SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）合作伙伴的紧密协作，提供成熟的设计基础设施，使其能够在更短的时间内完善其产品。
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