TSMC台积电将推出5个版本的3nm技术，并用FinFlex提高设计灵活性

TSMC上周四进行了2022年TSMC技术研讨会，按照惯例分享了其工艺技术路线图及未来的扩张计划。TSMC这次宣布的关键事项之一是N3（3nm级）和N2（2nm级）系列的前沿节点，这些节点将在未来几年用于制造先进的CPU、GPU和SoC。

N3：未来三年5个节点

随着制造工艺越来越复杂，它们的寻路和研发时间也被拉长了，所以我们不再看到TSMC和其他代工厂每两年推出一个全新的节点。对于N3，台积电的新节点推出周期将延长到了2.5年左右，而N2将延长到3年左右。

这意味着TSMC需要提供N3的增强版，以满足其客户的需求，这些客户仍在寻求每瓦性能的提升，以及每一年左右的晶体管密度的提升。TSMC及其客户需要多版本的N3的另一个原因是，N2依赖于基于nanosheet技术的全新的GAA FET（gate-all-around field-effect transistors），预计这将带来更高的成本、新的设计方法、新的IP和许多其他变化。虽然前沿芯片的开发者会迅速跳到N2，但TSMC的许多普通客户将在未来几年内坚持使用各种N3技术。

在2022年的TSMC技术研讨会上，谈到了四种N3衍生出的制造工艺（共5个3nm级节点），N3E、N3P、N3S和N3X将在未来几年内推出。这些N3衍生版预计将为超高性能应用提供更好的工艺窗口、更高的性能、更高的晶体管密度和更大的电压。所有这些技术都将支持FinFlex，这是TSMC的一个“秘诀”，大大增强了其设计灵活性，使芯片设计者能够精确地优化性能、功耗和成本。

请注意，TSMC在2020年左右才开始分别公布模拟、逻辑和SRAM的晶体管密度提升情况。一些数字仍然反映了由50%逻辑、30%SRAM和20%模拟组成的“混合”密度。

N3和N3E：即将量产

TSMC的第一个3nm级节点是N3，这个节点有望在今年下半年开始量产。这项技术主要针对早期采用者（Apple等公司），他们可以投资于前沿设计，并将受益于前沿节点所提供的PPA（performance, power, area）优势。但由于它是为特定类型的应用定制的，N3的工艺窗口（产生确定结果的参数范围）相对较窄，就产量而言，它可能不适合所有的应用。

这就是N3E发挥作用的时候了。这项新技术提高了性能，降低了功耗，并增加了工艺窗口，从而提高了产量。但代价是，该节点的逻辑密度略有下降。与N5相比，N3E功耗低34%（在相同的速度和复杂度下）或性能提高18%（在相同的功耗和复杂度下），并将逻辑晶体管密度提高了1.6倍。

值得注意的是，根据TSMC的数据，N3E将提供甚至比N4X（2023年）更高的时钟速度。然而，后者还将支持1.2V以上的超高驱动电流和电压，届时它将能够提供无与伦比的性能，但功耗非常高。

总的来说，N3E看起来是一个比N3更通用的节点，这就是为什么TSMC在这一点上的3nm的衍生版比它的5nm级节点在类似的发展阶段更多的原因，这并不奇怪。

使用N3E的芯片的风险量产将在未来几周开始（即2022年第二季度或第三季度），量产将在2023年中期开始。因此，预计商用N3E芯片将在2023年底或2024年初上市。

N3P、N3S和N3X：性能、密度、电压

N3的改进并不局限于N3E。TSMC将在2024年左右推出N3P，即其制造工艺的性能增强版，以及N3S，即该节点的密度增强版。可惜TSMC目前没有披露这些衍生版与基线N3相比会有哪些改进。事实上，在这一点上，TSMC甚至没有在其路线图的所有版本中显示N3S，所以试图猜测它的特性真的不合适。

最后，对于那些无论功耗和成本都需要超高性能的客户，TSMC将提供N3X，这基本上是N4X理论的继承者。同样，TSMC没有透露这个节点的细节，只是说它将支持高驱动电流和电压。我们可能会猜测N4X可能使用背面供电，但由于我们谈论的是基于FinFET的节点，而TSMC只打算在基于nanosheet的N2中实现背面供电轨道，我们不确定是否如此。尽管如此，TSMC在提高电压和增强性能方面可能有许多王牌。

FinFlex: N3的秘诀

说到增强功能，我们肯定应该提到TSMC为N3设计的秘诀：FinFlex技术。简而言之，FinFlex允许芯片设计者精确地定制他们的构建模块，以实现更高的性能、更高的密度和更低的功耗。

当使用基于FinFET的节点时，芯片设计者可以选择使用不同晶体管的不同库。当开发者需要以性能为代价最小化芯片尺寸并节省功耗时，他们会使用double-gate single-fin（2-1）FinFET。但是，当他们需要在芯片尺寸和更高功耗的权衡下最大限度地提高性能时，他们使用triple-gate dual-fin（3-2）FinFET。当开发者需要一个平衡点时，他们会使用dual-gate dual-fin（2-2）FinFET。

目前，在整个芯片或SoC设计的整个模块中，芯片设计师必须坚持使用一种库/晶体管类型。例如，CPU内核可以使用3-2 FinFET来实现，以使其运行速度更快，或者使用2-1 FinFET来降低其功耗和占用空间。这是一个公平的权衡，但它不是所有情况下的理想选择，特别是当我们在谈论3nm级节点时，其使用成本将比现有技术更高。

对于N3，TSMC的FinFlex技术将允许芯片设计者在一个区块内混合和匹配不同种类的FinFET，以精确定制性能、功耗和面积。对于像CPU内核这样的复杂结构，这样的优化给了很多机会来提高内核性能，同时还能优化芯片尺寸。因此，我们渴望看到SoC设计者在迫在眉睫的N3时代如何利用FinFlex的优势。

FinFlex不能替代节点专业化（性能、密度、电压），因为工艺技术比相同工艺技术中的库或晶体管结构有更大的差异，但FinFlex看起来是优化TSMC N3节点的性能、功率和成本的一个好方法。最终，这项技术将使FinFET的灵活性更接近基于nanosheet的GAAFETs，后者将提供可调节的通道宽度以获得更高的性能或降低功耗。

与TSMC的N7和N5一样，N3将是TSMC另一个长期节点系列。特别是随着TSMC 2nm级的基于nanosheet的GAAFet的飞跃，3nm系列将是该公司“经典”前沿FinFET节点的最后一个系列，也是很多客户将坚持数年（或更长时间）的节点。这也是为什么TSMC正在为不同的应用准备多个版本的N3，以及FinFlex技术，为芯片设计者提供一些额外的设计灵活性。

首批N3芯片将在未来几个月内投入生产，并在2023年初投放市场。同时，TSMC在2025年推出N2工艺技术后，还将继续使用其N3节点。

[参考文章]

TSMC Readies Five 3nm Process Technologies, Adds FinFlex For Design Flexibility — Anton Shilov