科友半导体：6英寸SiC晶体厚度突破32mm
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科友半导体：6英寸SiC晶体厚度突破32mm-基础器件-与非网
据集微网消息，6月17日，科友半导体宣布，以其自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，业内领先。此外，其自主研发的SiC长晶炉（感应）已有99%的部件实现国产替代。
图片来源：科友半导体
科友半导体成立于2018年，主要攻关第三代半导体材料和装备，在相继突破4英寸和6英寸SiC衬底和装备技术的基础上，不断向产业化方向迈进，目前已形成从材料到衬底和装备的自主知识产权体系，具备规模化生产条件。
今年5月20日，科友半导体发文称，随着2020年开工的科友半导体产学研聚集区项目一期工程逐渐收尾完工，以科友自有技术为依托的年产10万片第三代半导体衬底材料生产线将于今年8月投产。
科友半导体产学研聚集区项目由哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司和哈尔滨新区共同出资建设，项目占地4.5万平方米，总投资10亿元，将打造包括技术开发、装备设计、衬底制造等在内的全产业链的科技成果转化及产业化应用研究集聚区；以哈尔滨为总部，打造国家级第三代半导体装备与材料创新中心，通过国际合作、创新引智，改善产业结构发展半导体核心材料产业。（校对/Winfred）
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