携国际IDM大厂 台积电重兵抢进第三代半导体
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携国际IDM大厂 台积电重兵抢进第三代半导体-基础器件-与非网
看好包括电动车、5G射频、人工智能（AI）、高性能运算（HPC）等新兴应用的快速成长，拉动包括氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）等第三代宽能隙（WBG）半导体强劲需求，晶圆代工龙头台积电在此市场不缺席，与IDM厂及IC设计业者合作，第一代硅基板氮化镓（GaN on Si）技术平台，于去年完成并进一步强化，支持多元的应用，开发中的第二代硅基板GaN技术平台，预计今年内完成。
值得注意的是，台积电成功卡位的同时，包括英飞凌、意法半导体、德州仪器、安森美、罗姆（Rohm）等国际IDM大厂，也均扩大投资建设新产能。
国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，全球疫情蔓延下，半导体供应链一度受影响，但疫情之后，汽车电子产品不断提升的需求，即将复甦。全球功率暨化合物半导体需求看增，相关晶圆厂产能2023年将达1,024万片8吋约当月产能。
SEMI全球行销长暨台湾区总裁曹世纶表示，SiC与GaN等宽能隙先进材料，近一年来，在动力总成、电动车车载充电器、光达、5G及5G基地台等，均是目前热门的应用领域。可预见的是，未来在汽车电子产品、再生能源、国防与航太等应用领域，重要性不言而喻。
随着世界各地数据中心快速增加，使得供电效率的需求随之上升，德州仪器副总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣在台北国际电脑展（COMPUTEX）论坛中，分享设计工程师如何利用德仪GaN技术为数据中心达成体积更小、更高功率密度的解决方案，而德仪的自有产能和长期投资，能够快速扩展GaN及SiC等各项技术以满足市场需求。
英飞凌已宣布，大幅提升SiC和GaN产能，将斥资逾20亿欧元在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产SiC和GaN功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。英飞凌营运长Jochen Hanebeck表示，再生能源和电动车是推动功率半导体市场持续强劲增长的主要驱动力，英飞凌透过扩大SiC和GaN功率半导体的产能，为迎接宽能隙半导体市场的快速发展做好准备。
台积电锁定GaN市场并加快技术研发及产能布建，去年第一代650V的GaN增强型高电子移动率电晶体（E-HEMT）完成验证，进入全产能量产，市场已推出超过130款充电器。第二代650V和100V的E-HEMT的品质因素（FOM），皆较第一代提升50％，预计今年投入生产。100V的GaN空乏型高电子移动率电晶体（D-HEMT）已完成元件开发，预计年内投入生产。
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