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西数今年将量产第六代162层BiCS Flash，2024年将推进到200层以上
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西数今年将量产第六代162层BiCS Flash，2024年将推进到200层以上
吕嘉俭发布于 2022-5-17 11:51
本文约 560 字，需 1 分钟阅读
此前美光公布了其NAND闪存计划，表示将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，并准备在在2022年年末开始生产该款闪存芯片，将用在包括固态硬盘在内的各种产品上。近日，另一间存储大厂西部数据也公布了自己的NAND闪存计划。
据TechPowerup报道，西部数据正在与铠侠（Kioxia）合作，双方合作开发的第六代162层BiCS Flash将会在今年量产。目前其他厂商已经推进到176层，不过西部数据的162层BiCS Flash可以提供相同的容量。西部数据表示，其闪存芯片的尺寸比竞争对手更小，这是一个优势，意味着每片晶圆能够制造更多的芯片。
据西部数据的介绍，第六代BiCS Flash可以实现单片晶圆提供100TB容量，相比2020年时候的70TB有所增加。西部数据与铠侠计划在2024年将称之为BiCS+的堆叠层数提高到200层以上，到2032年将出现500层堆叠的NAND闪存。第一款采用BiCS+闪存将用于数据中心产品，将比目前的第六代162层BiCS Flash的传输速度提高60%，每片晶圆的容量也将提高55%。
事实上，西部数据和铠侠在去年年初，就已宣布合作开发了第六代162层BiCS Flash。按照当时铠侠的说法，与第五代技术相比，第六代技术的横向单元阵列密度提高了10%，结合162层堆叠式垂直存储器，与112层堆叠技术相比，可将芯片尺寸缩小40%。通过采用阵列CMOS电路布局和四路同时操作，与上一代产品相比，性能提高了近2.4倍，读取延迟上提高了10％。I/O性能也提高了66％。
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