IBM和三星携手实现半导体突破，推出颠覆传统设计的VTFET技术
source link: https://www.expreview.com/81470.html
Go to the source link to view the article. You can view the picture content, updated content and better typesetting reading experience. If the link is broken, please click the button below to view the snapshot at that time.
IBM和三星携手实现半导体突破，推出颠覆传统设计的VTFET技术
吕嘉俭发布于 2021-12-15 15:04
在近日举行的2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔介绍了在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术，概述了其未来技术发展方向。IBM则与三星携手，推出了下一代半导体芯片技术：垂直传输场效应晶体管（VTFET）。这项突破性的新技术允许晶体管垂直堆叠，与按比例缩放的FinFET相比，性能可实现翻倍，或将耗能降低85%。
一般情况下，晶体管是以水平方式构建，电流从一侧横向导向另一侧。通过垂直传输场效应晶体管，实现了垂直构建并将晶体管分层，允许电流在晶体管中上下流动，摆脱了过去横向布局和电流导向的限制。技术人员通过放宽晶体管门长度、间隔厚度和触点尺寸的物理限制，以解决缩放障碍，并在性能和功耗方面加以优化。利用VTFET技术，不但能缩小芯片的面积，还能提高能效或提供更强的性能。
IBM和三星借助VTFET技术，向人们展示了CMOS半导体设计中，探索纳米以外的缩放性能是可能的。VTFET技术解决了许多性能上的障碍和限制，扩展了摩尔定律，让芯片设计人员可以在同样的空间里放置更多的晶体管，实现更大的飞跃。在今年宣布制造出全球首款2nm制程节点的芯片后，IBM再次展示了在半导体方面的实力。
IBM与三星在过去的这段时间里展开了密切的合作，自2014年将晶圆厂卖给GlobalFoundries后，IBM已没有了属于自己的晶圆厂，所以芯片量产方面交予了三星负责。IBM计划今年在旗下Power Systems服务器中使用其首款商用7nm工艺处理器IBM Power 10，支持PCIe Gen5和DDR5内存，将由三星负责制造。此外，IBM在今年HotChips 33上公布的Z系列处理器“Telum”，也将采用三星7nm工艺制造。
Recommend
About Joyk
Aggregate valuable and interesting links.
Joyk means Joy of geeK