2024年之前智能手机存储已经就绪

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3 years ago

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2024年之前智能手机存储已经就绪-存储在线

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5G网络峰值速率在1Gbit/s左右，为4G网络速度的10倍，1GB的文件，10秒左右就可以下来，可以说，5G网络的高速是非常惊人的。与5G网络适配，对于存储带宽的需求在100MB/s左右。

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5G下载并不是带宽要求最高在的应用，相比超高分辨率相机、增强现实/虚拟现实、游戏和8K视频等新兴应用，以8K视频为例，30帧/s 拍摄对数据存储带宽的需求达到1000MB/s左右，是5G网络的10倍。因此，对于一款智能手机内部数据存储产品而言，1000MB/s将是一个衡量的门槛，只有达到这样的一个水准，才能够被称为未来就绪的存储产品。

按照判断：1000MB/s应该能够满足2024年之前，智能手机应用对带宽存储新能的需求。

西部数据公司日前发布了最新的第二代UFS 3.1存储解决方案——西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件就是这样一款产品。

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从性能指标上看，西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件的顺序读写能力为2,000MB/s；顺序写入峰值带宽为1,550MB/s，远远高于1,000MB/s的门槛。

那么，西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件在技术上是怎么做到的呢？

西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳透露，主要依赖于闪存颗粒、闪存控制器和固件技术的进步。

b4.jpg?x-oss-process=image%2Fquality,q_50%2Fresize,m_fill,w_1024,h_683 西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳女士（左）以及西部数据公司产品市场部高级产品市场经理宋学红先生（右）

以西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件所使用的第六代162层3D闪存颗粒为例，它是西部数据与铠侠10年联合研发闪存颗粒的第15代产品，它没有按照传统八层交错式存储孔阵列设计，而是通过第六代创新架构将横向单元阵列密度提高了约10%，结合162层堆叠式垂直设计，使每个晶圆的制造位增加了70%；通过阵列CMOS电路布局和四路同时操作，性能可提高近2.4倍，读取延迟减少约10%，I/O性能也提高了约66%。

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有了第六代162层3D闪存颗粒的基础，配合西部数据独立研发的控制器技术和固件设计，在满足JEDEC UFS 3.1规范要求的基础上，借助西部数据第七代Smart SLC Write Booster 技术，西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件进一步融合JEDEC标准规范，实现了前所未有的竞争力。

文芳表示：西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件是iNAND系列产品的新成员，十多年来，该系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任。西部数据持续深耕移动生态系统领域，与领先的SoC系统设计人员合作，在智能手机的参考设计中验证其UFS 3.1解决方案，从而为制造商提供经过测试的解决方案。西部数据iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式闪存器件样品现已开始供货。容量版本有128GB、256GB和512GB三种类型。

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