变化 | 美光（Micron）更新DRAM技术路线图
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美光将其DRAM技术路线图从三个单元缩小（发展）阶段更新为四个阶段，让每个晶圆能有更大的DRAM容量，并降低每GB容量成本。
美光打算通过以下步骤来逐步缩小单元或工艺节点尺寸，从20nm节点工艺缩减到10nm（19nm-10nm范围）节点工艺尺寸：
1Xnm –（c19-17nm）较早的DRAM技术工艺处理节点大小；
1Ynm –（c16-14nm）现在主流的DRAM比特位生产技术；
1Znm –（c13-11mn）2020年第三季度美光DRAM比特位产量占15％；
1αnm工艺节点– 2021年上半年量产；
1βnm工艺节点– 早期开发阶段；
1ɣnm工艺节点– 早期工艺集成；
1δnm工艺节点– 寻找目标，可能需要EUV（极紫外光刻）技术；
11δ节点大小是美光DRAM技术路线图中的新增条目。目前还没有看到低于1Znm的指示性工艺节点尺寸。
美光表示，随着从1Xnm到1Ynm和1Znm的转变，比特位密度的增速减慢。但是，美光从1Znm到1αnm工艺节点尺寸提升了40％的增长率。
富国银行分析师Aaron Rakers指出，美光在1Znm DRAM生产中占据有利地位。引用DRAMeXchange数据，预计美光在2020年第三季度的1Znm产量占其DRAM比特位产量的15％，而三星和SK海力士产量占比则分别为6％和0。
在其他条件相同的情况下，1Znm DRAM的制造成本低于之前的1Ynm节点成本。
极紫光刻机的应用加速工艺进程
美光采用深紫外线（DUV）多图案光刻技术在晶圆上设计DRAM单元芯片的细节。随着工艺节点尺寸水平缩小到10nm以下，光束的波长成为一个限制。
荷兰ASML公司是芯片行业主流光刻机供应商，已经研发了可发出较小波长光的EUV（极端紫外线）扫描仪。这项技术可在晶圆上蚀刻较窄的线条，因此可实现更小的工艺尺寸，即晶圆上的DRAM裸片数量更多，因此每个晶圆的容量会更高，每GB容量成本也会更低。但资本开支巨大，目前ASML公司每年仅生产30台EUV光刻机，这些光刻机重达180吨，每台成本1.2亿美元。
三星在1Znm工艺节点中使用了EUV，SK海力士计划使用EUV技术批量生产1αnm DRAM和1βnm DRAM。美光认为EUV到2023年甚至更晚才具有成本竞争力，也就是1δnm工艺节点才是市场决胜的关键。
另外，美光的财务似乎也缓过来了，近期把截至12月3日的第一季度营收预期，从50-54亿美元上调至57亿-57.5亿美元。
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