国内半导体三大差距明显：要冲击10nm

在首届中国国际智能产业博览会半导体产业高端论坛上，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武总结了中国集成电路与国外发展的三大差距，并提出了国内半导体发展的思路，在制造领域要突破高端生产线，发展14nm甚至10nm工艺。

大基金总裁：国内半导体三大差距明显 要发展14nm甚至10nm

国家集成电路产业投资基金股份有限公司，也就是俗称的大基金，之前的根据全球半导体观察的介绍，是“国字号”投资基金，采取公司制形式，由财政部（持股25.95%）、国开金融有限责任公司（持股23.07%）、中国烟草总公司（持股14.42%）、北京亦庄国际投资发展有限公司（持股7.21%）、中国移动通信集团公司（持股7.21%）持股，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业。

丁文武在这次论坛上总结了中国集成电路与国外发展的三大差距：集成电路进口额巨大，核心技术依赖进口，产业规模差距大， 并提出今后集成电路补短板、增长板的发展策略。

三大差距具体来说，丁文武认为，一是中国每年集成电路进口额巨大。2017年进口集成电路达到2601.4亿美元，进出口逆差达到1932亿美元，这说明中国集成电路产业对外依存度非常巨大。

二是高端核心芯片、核心技术依赖进口。“高端芯片CPU、存储器芯片、高端通信和视频芯片基本上依赖进口。而我们自己研制的以中低端为主，这个差距还是很大的。”

三是产业规模差距大。丁文武将国内每个领域第一名与国际第一名相比，国内制造领域第一的制造企业，其产业规模与国际第一的制造企业相差10倍；国内第一的设计企业与国际第一的设计企业相差3.3倍；国内封装企业差距较小，第一名比国际第一的封装企业产业规模相差1.6倍。

除三个差距以外，丁文武谈到，目前国际形势复杂严峻，因此，要正视差距和挑战，看到发展机遇。

一方面，国家大力支持集成电路发展。

“在产业发展过程中，中央政策、地方政策给了很大支持。18号文件、4号文件、集成电路纲要，对我们产业发展给予了极大支持。各个地方对集成电路发展也出台了很多具体政策。”

另一方面，也应看到新兴产业、技术、产品在不断涌现。

不管是大数据、物联网、云计算、工业互联网、5G通信，还是人工智能、智能终端、协同应用等，都存在巨大市场。中国的巨大市场也是产业发展的机遇。

面对机遇与挑战，丁文武提出今后集成电路发展思路：补短板、增长板。

补短板上，丁文武认为，应在设计方面应大力发展高端芯片，例如CPU、GPU、FPGA等。在制造领域，要发展高端生产线，打造14纳米，甚至10纳米的芯片。芯片越小，意味着精度越高。在相同面积上集成的电路越多，性能也更高。

在丁文武看来，增长板可以增强企业竞争力。

最后，丁文武透露，重庆即将发布集成电路产业的扶持政策。通过这些政策，营造招商引资的良好政策环境，吸引国内外集成电路企业落户重庆。丁文武希望重庆在人才培养、人才引进上制定更好的政策，“人才是我们集成电路发展的关键，没有人才一切都是空话。”

丁文武提到了发展14nm及10nm芯片，在14/16nm节点上，国内已经有台积电的南京晶圆厂量产了16nm FinFET工艺，国产的则有中芯国际的14nm FinFET工艺，根据前不久中芯国际的财报会议，他们的14nm工艺已经进入客户导入阶段，明年初量产。

至于丁文武所说的10nm工艺，台积电、三星都已经量产了，但是国内还没有，实际上10nm节点是半代工艺，主要特色是低功耗，跟之前的20nm工艺一样都是过渡节点，下一代的7nm工艺则是高性能节点，会跟28nm、14nm节点一样长期存在。

在7nm工艺上，中芯国际已经表态开始技术研发了，购买自ASML的EUV光刻机也主要是用来研究7nm及以后制程工艺的，不过7nm在国内尚未研发成功，现在还是起步阶段，时间进度上要落伍三年以上。