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美光开始出货2550系列NVMe固态硬盘:采用232层TLC NAND闪存

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美光开始出货2550系列NVMe固态硬盘:采用232层TLC NAND闪存

艾文龙发布于 2022-12-7 10:32
本文约 510 字,需 1 分钟阅读

据之前报道,美光(Micron)几个月前已推出232层TLC NAND闪存,并计划2022年底开始正式生产。近日美光宣布开始出货采用232层TLC NAND闪存的2550系列PCIe 4.0 NVMe固态硬盘,美光称该系列固态硬盘具有密度与功耗优势,相比自家上代产品,写入带宽提高了100%。

 

2550_2.jpg

该系列固态硬盘支持NVMe1.4协议,拥有2230、2242、2280三种规格,每种规格都提供256GB、512GB及1TB三种容量。其中256G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为4500MB/s,最大顺序写入速度为2000MB/s,最大随机读取380K IOPS,最大随机写入为400K IOPS,TBW为150TB;512G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s,最大顺序写入速度为4000MB/s,最大随机读取500K IOPS,最大随机写入为600K IOPS,TBW为300TB;1T容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s,最大顺序写入速度为4000MB/s,最大随机读取550K IOPS,最大随机写入为600K IOPS,TBW为600TB。

2550_1.jpg

美光通过优化进入与退出节能状态的过程,为控制芯片采用更先进的制程工艺,采用HMB(Host Memory Buffer)技术清除DRAM等手段进一步降低固态硬盘功耗,可使笔记本拥有更长的续航 。美光称该系列固态硬盘睡眠功耗低于2.5mW,空闲功耗低于150mW,活动功耗低于5.5W。

目前已有包括长江存储,三星,SK海力士在内的多家厂商推出层数高于200的NAND闪存,估计很快会更多相应产品与消费者见面。


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