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科赋发布三款M.2固态硬盘:TLC颗粒,最大顺序读取速度7400MB/s - 超能网

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科赋发布三款M.2固态硬盘TLC颗粒,最大顺序读取速度7400MB/s

艾文龙发布于 2022-11-24 11:42
本文约 520 字、3 张图表,需 1 分钟阅读

KLEVV科赋近日发布三款固态硬盘:CRAS C730、CRAS C910及CRAS C930,其中CRAS C910与CRAS C930可选配散热器。

CRAS C730尺寸为80x22x4mm,支持PCIe 3.0x4速率,最大连续读取速度为3700MB/s,连续写入速度为2800MB/s;最大4K随机读取为240K IOPS,4K随机写入为350K IOPS;主控使用Realtek RTS5762,采用3D TLC NAND闪存,拥有DRAM缓存。C730拥有三个版本:512GB、1TB及2TB,TWB分别为320、640及1280。

C730.jpg

CRAS C910规格为2280,不安装散热器时,硬盘厚度为2.2mm,安装散热器后,科赋表示温度可降低10%,硬盘厚度也来到了3.1mm。CRAS C910支持PCIe 4.0x4速率,最大连续读取速度为5000MB/s,连续写入速度为4800MB/s;最大4K随机写读取为830K IOPS,4K随机写入为670K IOPS;主控使用InnoGrit IG5220,采用3D TLC NAND闪存。CRAS C910拥有两个版本:500GB及1TB,TBW分别为350与700。

C910.jpg

CRAS C930支持PCIe 4.0及NVMe1.4协议,规格为2280,同样可以选配散热器,不安装散热器时,硬盘厚度为3.2mm,安装散热器后,科赋表示温度能降低20%,硬盘厚度也来到了8.7mm。CRAS C930最大连续读取速度为7400MB/s,连续写入速度为6800MB/s;最大4K随机写读取为1000K IOPS,4K随机写入也为1000K IOPS;主控使用InnoGrit IG5236,采用3D TLC NAND闪存,配置DRAM缓存。CRAS C930拥有两个版本:1TB及2TB,TBW分别为750与1500。

C930.jpg

CRAS C730、C910及C930均支持智能SLC缓存算法、S.M.A.R.T硬盘自我监测及AES-256加密技术。

三款硬盘将在2022年年末于国外上市,暂不清楚是否会在国内上市。


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